[发明专利]十字形纳米尺度存储结构电路及其串扰问题的解决方法无效
申请号: | 201010157993.5 | 申请日: | 2010-04-28 |
公开(公告)号: | CN101853874A | 公开(公告)日: | 2010-10-06 |
发明(设计)人: | 郭剑;张昊;魏芹芹;邓斯天;傅云义;黄如;张兴 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24;H01L21/82;G11C11/56 |
代理公司: | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人: | 贾晓玲 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种十字形纳米尺度存储结构电路及其串扰问题的解决方法,属于纳电子器件制备技术领域。该方法基于十字形存储系统的结构,利用阻止或减弱信号由下往上传输即可消除或削减串扰信号的特性,提出在每个节点的中间介质串联一整流器件,此整流器件对节点处的由上往下信号呈导通特性,对节点处的由下往上的信号呈高阻特性,由此可以阻止串扰信号通过,并让预期信号通过。本发明可有效地解决十字形纳米尺度存储结构电路中串扰问题,在工艺上具有很强的可操作性,为十字形纳米尺度存储结构实现高密度集成奠定技术基础。 | ||
搜索关键词: | 十字形 纳米 尺度 存储 结构 电路 及其 问题 解决方法 | ||
【主权项】:
一种十字形纳米尺度存储结构电路,其特征在于,包括纵横交叉阵列方式排列的两路导线,在每个纵横交叉节点处,所述导线之间设有一中间介质材料层,所述中间介质材料层串联一整流器件,此整流器件对节点处的由上往下信号呈导通特性,对节点处的由下往上的信号呈高阻特性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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