[发明专利]十字形纳米尺度存储结构电路及其串扰问题的解决方法无效

专利信息
申请号: 201010157993.5 申请日: 2010-04-28
公开(公告)号: CN101853874A 公开(公告)日: 2010-10-06
发明(设计)人: 郭剑;张昊;魏芹芹;邓斯天;傅云义;黄如;张兴 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H01L27/24 分类号: H01L27/24;H01L21/82;G11C11/56
代理公司: 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 代理人: 贾晓玲
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种十字形纳米尺度存储结构电路及其串扰问题的解决方法,属于纳电子器件制备技术领域。该方法基于十字形存储系统的结构,利用阻止或减弱信号由下往上传输即可消除或削减串扰信号的特性,提出在每个节点的中间介质串联一整流器件,此整流器件对节点处的由上往下信号呈导通特性,对节点处的由下往上的信号呈高阻特性,由此可以阻止串扰信号通过,并让预期信号通过。本发明可有效地解决十字形纳米尺度存储结构电路中串扰问题,在工艺上具有很强的可操作性,为十字形纳米尺度存储结构实现高密度集成奠定技术基础。
搜索关键词: 十字形 纳米 尺度 存储 结构 电路 及其 问题 解决方法
【主权项】:
一种十字形纳米尺度存储结构电路,其特征在于,包括纵横交叉阵列方式排列的两路导线,在每个纵横交叉节点处,所述导线之间设有一中间介质材料层,所述中间介质材料层串联一整流器件,此整流器件对节点处的由上往下信号呈导通特性,对节点处的由下往上的信号呈高阻特性。
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