[发明专利]一种太阳电池的去边方法

摘要

本发明属于太阳能电池加工技术领域，具体涉及一种太阳电池的去边方法，包括：S101，紧密叠放硅片；S102，纯净水浸泡硅片；S103，高压喷淋腐蚀硅片；S104，清洗硅片。本发明的去边方法能够精确控制腐蚀，不会蔓延到硅片正面，因而增大正面PN结的有效面积，同时正面的电极也可以延伸到硅片的边缘，提高边缘电流的收集效果，进一步提高太阳电池的转换效率。同时，本发明可将成百上千的硅片叠放在一起进行化学腐蚀，适合工业化量产需求。

主权项

一种太阳电池的去边方法，其特征在于，包括：紧密叠放步骤，将至少两片硅片紧密叠放在一起夹紧；纯净水浸泡步骤，将紧密叠放在一起的硅片放入纯净水中浸泡；高压喷淋腐蚀步骤，将腐蚀液高压喷淋在纯净水浸泡后的硅片的侧表面进行化学腐蚀；清洗步骤，将经过化学腐蚀后的硅片放入纯净水中清洗干净。