[发明专利]检查制造光掩模基坯或其中间物、确定高能辐射量的方法有效
申请号: | 201010158168.7 | 申请日: | 2010-03-31 |
公开(公告)号: | CN101852984A | 公开(公告)日: | 2010-10-06 |
发明(设计)人: | 稻月判臣;金子英雄;吉川博树 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F1/08 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 金晓 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种检查制造光掩模基坯或其中间物、确定高能辐射量的方法。通过以下方法检查光掩模基坯,该光掩模基坯是通过在基板上沉积相移膜并且利用高能量辐射来照射相移膜以实施基板形状调节处理而制造的,该方法是:在基板形状调节处理之后测量光掩模基坯的表面形貌,从光掩模基坯移除相移膜,在移除相移膜之后测量经处理的基板的表面形貌,以及比较表面形貌,由此估计由于已经历基板形状调节处理的相移膜的应力而引起的、在移除相移膜之前和之后的翘曲改变。 | ||
搜索关键词: | 检查 制造 光掩模基坯 中间 确定 高能 辐射量 方法 | ||
【主权项】:
一种用于检查光掩模基坯或其中间物的方法,通过在光掩模形成基板上沉积相移膜并且利用高能量辐射来照射所述相移膜以实施基板形状调节处理来制造所述光掩模基板或其中间物,所述方法包括以下步骤:在基板形状调节处理之后测量所述光掩模基坯或中间物的表面形貌,从所述光掩模基坯或中间物移除所述相移膜,在移除所述相移膜之后测量经处理的基板的表面形貌,以及将所述光掩模基坯或中间物的表面形貌与经处理的基板的表面形貌比较,由此估计由于已经历了基板形状调节处理的所述相移膜的应力而引起的、在移除所述相移膜之前和之后的翘曲改变。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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