[发明专利]检查制造光掩模基坯或其中间物、确定高能辐射量的方法有效

专利信息
申请号: 201010158168.7 申请日: 2010-03-31
公开(公告)号: CN101852984A 公开(公告)日: 2010-10-06
发明(设计)人: 稻月判臣;金子英雄;吉川博树 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: G03F1/00 分类号: G03F1/00;G03F1/08
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 金晓
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及一种检查制造光掩模基坯或其中间物、确定高能辐射量的方法。通过以下方法检查光掩模基坯,该光掩模基坯是通过在基板上沉积相移膜并且利用高能量辐射来照射相移膜以实施基板形状调节处理而制造的,该方法是:在基板形状调节处理之后测量光掩模基坯的表面形貌,从光掩模基坯移除相移膜,在移除相移膜之后测量经处理的基板的表面形貌,以及比较表面形貌,由此估计由于已经历基板形状调节处理的相移膜的应力而引起的、在移除相移膜之前和之后的翘曲改变。
搜索关键词: 检查 制造 光掩模基坯 中间 确定 高能 辐射量 方法
【主权项】:
一种用于检查光掩模基坯或其中间物的方法,通过在光掩模形成基板上沉积相移膜并且利用高能量辐射来照射所述相移膜以实施基板形状调节处理来制造所述光掩模基板或其中间物,所述方法包括以下步骤:在基板形状调节处理之后测量所述光掩模基坯或中间物的表面形貌,从所述光掩模基坯或中间物移除所述相移膜,在移除所述相移膜之后测量经处理的基板的表面形貌,以及将所述光掩模基坯或中间物的表面形貌与经处理的基板的表面形貌比较,由此估计由于已经历了基板形状调节处理的所述相移膜的应力而引起的、在移除所述相移膜之前和之后的翘曲改变。
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