[发明专利]半导体装置无效
申请号: | 201010158309.5 | 申请日: | 2010-04-28 |
公开(公告)号: | CN101894861A | 公开(公告)日: | 2010-11-24 |
发明(设计)人: | 詹归娣;李东兴 | 申请(专利权)人: | 联发科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/00 | 分类号: | H01L29/00;H01L23/522 |
代理公司: | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人: | 葛强;张一军 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种半导体装置。其中,半导体装置包含:一基板;该基板上的一电感走线样式;以及至少一虚拟氧化层定义填充,置于该基板内且位于该电感走线样式下方。本发明的优点之一是可减少对靠近电感形成区的有源元件的不利影响。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,包含:基板;该基板上的电感走线样式;以及至少一虚拟氧化层定义填充,置于该基板内且位于该电感走线样式下方。
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