[发明专利]一种低碳含量的多晶硅锭以及制备方法无效
| 申请号： | 201010158904.9 | 申请日： | 2010-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN101812729A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 万跃鹏;张涛;肖贵云 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/06 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 杨志宇 |
| 地址： | 338000 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多晶硅锭，特别是一种低碳含量的多晶硅锭，还涉及了一种低碳含量的多晶硅锭的制备方法，该多晶硅锭的碳含量杂质按含量分布在高含量区域和低含量区域，其中高含量区域的碳杂质含量高于2×1017个原子每立方厘米，其中低含量区域的碳杂质含量低于或等于2×1017个原子每立方厘米，按硅锭重量百分比，低含量区域的硅锭重量大于或等于65％；该制备该多晶硅锭的方法减少了硅溶液在定向凝固长晶过程中碳沉淀物、碳化硅夹杂物、位错等杂质或缺陷的形成，不仅降低了在多晶硅锭切割工艺中的断线事故、硅片线痕不良的风险，提高了良品率，减少了电池片的漏电率，提高了电池片的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 含量 多晶 以及 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低碳含量的多晶硅锭，其特征在于：该多晶硅锭的碳含量杂质按含量分布在高含量区域和低含量区域，其中高含量区域的碳杂质含量高于2×1017个原子每立方厘米，其中低含量区域的碳杂质含量低于或等于2×1017个原子每立方厘米，按硅锭重量百分比，低含量区域的硅锭重量大于或等于65％。
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