[发明专利]ABO3/TiO2/MgO/Ⅲ-V族氮化物半导体异质结构及制备方法无效
| 申请号： | 201010159582.X | 申请日： | 2010-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101826550A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 朱俊;罗文博;李言荣;张鹰 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/15 | 分类号： | H01L29/15;H01L21/18 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | ABO3/TiO2/MgO/III-V族氮化物半导体异质结构及制备方法，涉及微电子材料领域。本发明包括半导体衬底和ABO3钙钛矿结构功能氧化物薄膜，其特征在于，在衬底基片和功能氧化物薄膜之间，有一个由纳米厚度的TiO2模板层和MgO势垒层构成的复合缓冲层。本发明首次在低温下通过激光分子束外延的方式在GaN外延片上制备了外延质量良好的TiO2/MgO复合缓冲层，其中MgO层起到势垒层的作用，而TiO2作为模板层可以有效诱导ABO3薄膜外延生长。 | ||
| 搜索关键词： | abo sub tio mgo 氮化物 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
ABO3/TiO2/MgO/III-V族氮化物半导体异质结构，包括半导体衬底和ABO3钙钛矿结构功能氧化物薄膜，其特征在于，在衬底基片和功能氧化物薄膜之间，有一个由纳米厚度的TiO2模板层和MgO势垒层构成的复合缓冲层。
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