[发明专利]半导体装置及该半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201010159694.5 | 申请日： | 2010-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN101859799B | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 浅野裕治;肥塚纯一 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/32;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 朱海煜,徐予红 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置及该半导体装置的制造方法。本发明的目的在于提供一种使用氧化物半导体层的薄膜晶体管，其中，降低氧化物半导体层与源电极层或漏电极层之间的接触电阻，以使其电特性稳定。在使用氧化物半导体层的薄膜晶体管中，在氧化物半导体层上形成具有高电阻区及低电阻区的缓冲层，以使氧化物半导体层与源电极层或漏电极层接触而中间夹着缓冲层的低电阻区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成栅电极层；在所述栅电极层上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上通过溅射法形成第一氧化物半导体膜；在包含15vol％至25vol％的氧气和75vol％至85vol％的氮气的大气气氛下对所述第一氧化物半导体膜进行热处理；在所述第一氧化物半导体膜上通过溅射法形成第二氧化物半导体膜；对所述第二氧化物半导体膜进行反溅射处理；在氮气氛下对所述第二氧化物半导体膜进行热处理；对所述第一氧化物半导体膜及所述第二氧化物半导体膜进行蚀刻，以形成氧化物半导体层及缓冲层；在所述氧化物半导体层及所述缓冲层上形成导电膜；对所述导电膜进行蚀刻，以形成源电极层及漏电极层；以及以200℃至600℃在大气气氛下对所述缓冲层的露出部分进行热处理，以形成低电阻区及高电阻区，以便所述高电阻区的端部与所述源电极层或漏电极层重叠，其中，由所述源电极层或所述漏电极层覆盖的所述低电阻区的导电率高于所述氧化物半导体层的导电率，所述高电阻区的导电率低于所述低电阻区的导电率，所述栅电极层的在沟道长度方向上的宽度大于所述氧化物半导体层的宽度，以及所述栅电极层的在沟道宽度方向上的宽度大于所述氧化物半导体层的宽度。
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