[发明专利]高电压低电流面发射LED有效
| 申请号： | 201010159854.6 | 申请日： | 2010-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN101859758B | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | J·艾贝森;S·海克曼 | 申请（专利权）人： | 克利公司 |
| 主分类号： | H01L25/13 | 分类号： | H01L25/13;H01L33/54 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 余刚,李丙林 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种单片LED芯片，其包括多个安装在基座上的结或子LEDs(“sub‑LEDs”)。所述子LEDs串联地互连，以致于驱动所述多个子LEDs所需的电压取决于串联地互连的子LEDs的数量和所述子LEDs的结电压。本发明还揭示了单片LED芯片的制造方法，其中一种方法包括在基座上设置单结式LED以及将所述单结式LED分成多个子LEDs。所述子LEDs然后串联地互连，以致于驱动所述子LEDs所需的电压取决于串联地互连的所述子LEDs的数量和所述子LEDs的结电压。 | ||
| 搜索关键词： | 压低 电流 发射 led | ||
【主权项】：
一种单片LED芯片，其包括安装在基座上并与所述基座电绝缘的多个子LED，其中所述子LED由单结式LED构成，所述子LED串联地互连，以至于驱动所述多个子LED所需的电压取决于串联地互连的子LED的数量和所述子LED的结电压；与所述子LED串联地互连的电导部件和电绝缘部件；所述基座和所述子LED之间的绝缘层；所述绝缘层与所述基座之间的金属结合层；绝缘层上的多个底电接触点与所述基座相对，其中，所述多个子LED被安装在所述多个底电接触点中的相应一个上；反射镜接触点，位于所述底电接触点与所述子LED之间；以及绝缘缓冲层，位于所述子LED的顶表面上并且连接所述子LED；以及隔离植入物，位于所述子LED之间，所述隔离植入物穿过所述子LED延伸至所述绝缘缓冲层中。
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