[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法有效
申请号: | 201010160085.1 | 申请日: | 2010-04-29 |
公开(公告)号: | CN102237471A | 公开(公告)日: | 2011-11-09 |
发明(设计)人: | 沈佳辉;洪梓健;曾坚信 | 申请(专利权)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/60 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种发光二极管封装结构,其包括一透明基板及设置在所述透明基板上的接合部和发光二极管芯片。所述接合部具有一容置区,所述容置区由倾斜侧壁围成,所述倾斜侧壁上设置有反射层,所述容置区靠近所述透明基板处的开口尺寸大于远离所述透明基板处的开口尺寸,所述发光二极管芯片容置在所述容置区中。本发明的发光二极管封装结构由所述倾斜侧壁将发光二极管芯片发出的部分光线反射后透过所述透明基板射出,从而所述发光二极管芯片的出光效率较高。本发明还提供一种发光二极管封装结构的制造方法。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种发光二极管封装结构,其包括一透明基板及设置在所述透明基板上的接合部和发光二极管芯片,其特征在于,所述接合部具有一容置区,所述容置区由倾斜侧壁围成,所述倾斜侧壁上设置有反射层,所述容置区靠近所述透明基板处的开口尺寸大于远离所述透明基板处的开口尺寸,所述发光二极管芯片容置在所述容置区中。
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