[发明专利]SiBOC先驱体的制备方法有效
申请号: | 201010160426.5 | 申请日: | 2010-04-30 |
公开(公告)号: | CN101805171A | 公开(公告)日: | 2010-08-18 |
发明(设计)人: | 温广武;白宏伟;韩兆祥;黄小萧;胡自翔;张晓东 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | C04B35/01 | 分类号: | C04B35/01;C04B35/622 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 金永焕 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | SiBOC先驱体的制备方法,它涉及一种先驱体的制备方法。本发明解决了现有方法制备得到的SiBOC先驱体可纺性差,制备具有理想化学组成和均匀结构的陶瓷制品较困难的问题。方法:一、制备烷氧基硅氧烷;二、制备SiBOC先驱体。本发明制备得到的SiBOC先驱体可纺性好,可制备得到直径约为10μm、圆形截面的连续纤维,制备得到的纤维性能好,且用本发明的SiBOC先驱体能够制备具有优异力学性能和高温稳定性的SiBOC陶瓷制品。 | ||
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【主权项】:
SiBOC先驱体的制备方法,其特征在于SiBOC先驱体的制备方法按照以下步骤进行:一、含氢硅氧烷与醇类物质按照1∶1~1.5的体积比混合得到混合物,再加入占混合物体积百分比为0.05%~1%的乙二胺,在室温下反应2.5~3.5个月得到烷氧基硅氧烷;二、步骤一得到的烷氧基硅氧烷与硼酸按照Si/B摩尔比为1∶0.025~1的比例混合,再加入与步骤一相同的醇类物质至硼酸全部溶解,在64~100℃条件下回流保温2~10小时,即得到了SiBOC先驱体;其中步骤一中含氢硅氧烷为含氢硅氧烷或含氢聚硅氧烷,含氢硅氧烷为四甲基环四硅氧烷或四甲基二氢硅氧烷,含氢聚硅氧烷为聚甲基氢硅氧烷或含氢硅油。
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