[发明专利]一种低温度系数高阶温度补偿的带隙基准电压源

摘要

本发明公开了一种低温度系数高阶温度补偿的带隙基准电压源，通过将具有高阶负温度系数的电流注入一个PNP型三极管，得到具有高阶温度系数的电压，并将该电压通过双差分对运算放大器耦合到最终的输出基准电压之中，补偿三极管带隙电压中的高阶温度分量，从而得到高阶温度补偿的基准电压。由于传统的带隙基准电压源只采用了一阶温度补偿，该基准电压通过高阶温度补偿，较传统的带隙基准电压源有较大的性能提升，具有较低的温度系数。

主权项

一种低温度系数高阶温度补偿的带隙基准电压源，包括：一个产生具有高阶温度系数电压的电路单元(11)，该电路单元(11)包括一个运算放大器，第三PMOS管(M3)，第四PMOS管(M4)，PNP型的第三三极管(Q3)，第五电阻(R5)，其中运算放大器的正、负输入端分别连接第五电阻(R5)的一端和第三三极管(Q3)的发射极，第五电阻(R5)的另一端和第三三极管(Q3)的基极、集电极均接地，运算放大器的输出端连接第三PMOS管(M3)、第四PMOS管(M4)的栅极，第三PMOS管(M3)的衬底、源极和第四PMOS管(M4)的衬底、源极均接工作电压VDD，第三PMOS管(M3)的漏极连接运算放大器的负输入端，第四PMOS管(M4)的漏极连接运算放大器的正输入端；一个基准电压产生电路单元(12)，该电路单元(12)包括一个双差分对运算放大器，PNP型的第一三极管(Q1)，PNP型的第二三极管(Q2)，第一电阻(R1)，第二电阻(R2)，第三电阻(R3)，第四电阻(R4)，其中双差分对运算放大器的第一正输入端(P1)连接第二三极管(Q2)的发射极，双差分对运算放大器的第二正输入端(P2)连接第一三极管(Q1)的发射极，第一三极管(Q1)的基极、集电极和第二三极管(Q2)的基极、集电极均接地，双差分对运算放大器的第一负输入端(N1)通过第一电阻(R1)与第一三极管(Q1)的发射极相连，双差分对运算放大器的第二负输入端(N2)连接第三三极管(Q3)的发射极，第四电阻(R4)通过第二电阻(R2)连接双差分对运算放大器的第一负输入端(N1)，第四电阻(R4)通过第三电阻(R3)连接第二三极管(Q2)的发射极；所述的双差分对运算放大器包括两个NMOS管和六个PMOS管，其中第五PMOS管(M7)、第六PMOS管(M8)的栅极均接外加的偏置电压，第五PMOS管(M7)的衬底、源极和第六PMOS管(M8)的衬底、源极均接工作电压VDD，第五PMOS管(M7)的漏极与第七PMOS管(M9)的衬底、源极，第八PMOS管(M10)的衬底、源极相连，第七PMOS管(M9)的栅极和第八PMOS管(M10)的栅极分别作为双差分对运算放大器的第二负输入端(N2)、第二正输入端(P2)引出，第七PMOS管(M9)的漏极与第二NMOS管(M13)的漏极、第九PMOS管(M11)的的漏极相连，第八PMOS管(M10)的漏极与第二NMOS管(M13)的栅极，第三NMOS管(M14)的栅极、漏极，第十PMOS管(M12)的漏极相连，第二MOS管(M13)的衬底、源极和第三NMOS管(M14)的衬底、源极均接地，第六PMOS管(M8)的漏极与第九PMOS管(M11)的衬底、源极，第十PMOS管(M12)的衬底、源极相连，第九PMOS管(M11)的栅极和第十PMOS管(M12)的栅极分别作为双差分对运算放大器的第一负输入端(N1)、第一正输入端(P1)引出；所述的双差分对运算放大器的输出端接第一NMOS管(M5)的栅极，第一NMOS管(M5)的源极和衬底均接地，第一NMOS管(M5)的漏极接第一PMOS管(M1)的栅极、漏极和第二PMOS管(M2)的栅极，第一PMOS管(M1)的衬底、源极和第二PMOS管(M2)的衬底、源极均接工作电压VDD，第二PMOS管(M2)的漏极与第四电阻(R4)相连。