[发明专利]一种闪存器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010162280.8 | 申请日： | 2010-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN102237365A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247;H01L29/788;H01L29/43 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吕雁葭 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种闪存器件及其制造方法，该器件包括：半导体衬底；栅堆叠，形成于所述半导体衬底之上；沟道区，位于所述栅堆叠之下；侧墙，位于所述栅堆叠外侧；以及源/漏区，位于所述沟道区外侧；其中，所述栅堆叠包括：第一栅介质层，位于所述沟道区之上；第一导电层，覆盖所述第一栅介质层的上表面和侧墙的内壁；第二栅介质层，覆盖所述第一导电层的表面；第二导电层，覆盖所述第二导电层的表面。本发明的实施例适用于闪存器件的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 闪存 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种闪存器件，包括：半导体衬底；栅堆叠，形成于所述半导体衬底之上；沟道区，位于所述栅堆叠之下；侧墙，位于所述栅堆叠外侧；以及源/漏区，位于所述沟道区外侧；其中，所述栅堆叠包括：第一栅介质层，位于所述沟道区之上；第一导电层，覆盖所述第一栅介质层的上表面和侧墙的内壁；第二栅介质层，覆盖所述第一导电层的表面；第二导电层，覆盖所述第二导电层的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
