[发明专利]一种改善硅薄膜太阳能电池微结构和电学性能的方法有效
申请号: | 201010162332.1 | 申请日: | 2010-04-28 |
公开(公告)号: | CN101834229A | 公开(公告)日: | 2010-09-15 |
发明(设计)人: | 肖海波;曾湘波;谢小兵;姚文杰;彭文博;刘石勇 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种改善硅薄膜太阳能电池微结构和电学性能的方法,该方法包括:在柔性衬底上,采用等离子体辅助化学气相沉积技术依次生长N型层、本征层和P型层,其中,对本征层的起始层进行氢等离子体刻蚀;沉积完P型层后,将电池从反应室取出,用磁控溅射生长ITO透明电极。利用本发明,能改善硅薄膜太阳能电池微结构和电学性能,同时处理过程简便易行,具有低成本可规模化生产的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 改善 薄膜 太阳能电池 微结构 电学 性能 方法 | ||
【主权项】:
一种改善硅薄膜太阳能电池微结构和电学性能的方法,其特征在于,该方法包括:在柔性衬底上,采用等离子体辅助化学气相沉积技术依次生长N型层、本征层和P型层,其中,对本征层的起始层进行氢等离子体刻蚀;沉积完P型层后,将电池从反应室取出,用磁控溅射生长ITO透明电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所,未经中国科学院半导体研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010162332.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:氮化镓系发光二极管
- 下一篇:硅量子点太阳能电池及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的