[发明专利]一种改善硅薄膜太阳能电池微结构和电学性能的方法有效

专利信息
申请号: 201010162332.1 申请日: 2010-04-28
公开(公告)号: CN101834229A 公开(公告)日: 2010-09-15
发明(设计)人: 肖海波;曾湘波;谢小兵;姚文杰;彭文博;刘石勇 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周国城
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种改善硅薄膜太阳能电池微结构和电学性能的方法,该方法包括:在柔性衬底上,采用等离子体辅助化学气相沉积技术依次生长N型层、本征层和P型层,其中,对本征层的起始层进行氢等离子体刻蚀;沉积完P型层后,将电池从反应室取出,用磁控溅射生长ITO透明电极。利用本发明,能改善硅薄膜太阳能电池微结构和电学性能,同时处理过程简便易行,具有低成本可规模化生产的优点。
搜索关键词: 一种 改善 薄膜 太阳能电池 微结构 电学 性能 方法
【主权项】:
一种改善硅薄膜太阳能电池微结构和电学性能的方法,其特征在于,该方法包括:在柔性衬底上,采用等离子体辅助化学气相沉积技术依次生长N型层、本征层和P型层,其中,对本征层的起始层进行氢等离子体刻蚀;沉积完P型层后,将电池从反应室取出,用磁控溅射生长ITO透明电极。
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