[发明专利]一种不对称型源漏场效应晶体管的制备方法

摘要

本发明属于微电子器件技术领域，具体公开了一种不对称型源漏场效应晶体管的制备方法。通过改变两次离子注入的倾斜角度来控制离子注入形成的掺杂区域的位置，形成不对称型源漏场效应晶体管的独特结构。所述不对称型源漏场效应晶体管结构的源区和漏区结构不对称，其一由PN结构成，另外一个由肖特基结和PN结混合构成。

主权项

一种不对称型源漏场效应晶体管的制备方法，所述不对称型源漏场效应晶体管包括半导体衬底、栅极结构、分别为混合结和PN结的源区和漏区，所述源区与漏区结构不对称，其一由PN结构成，另外一个由混合结构成，所述混合结由肖特基结和PN结混合构成，其特征在于所述方法包括如下步骤：a、提供一个半导体衬底，用浅槽隔离工艺形成隔离结构；b、形成第一绝缘介质层，接着在所述第一绝缘介质层上形成一个电极层，然后通过光刻、刻蚀工艺对所述电极层和所述第一绝缘层进行图形化刻蚀从而形成栅极结构和源区及漏区两侧的伪栅结构，并形成对应于源极和漏极区域的第一窗口和第二窗口且第二窗口的宽度小于第一窗口的宽度；c、淀积形成第二绝缘介质层且其厚度小于所述第二窗口宽度的一半；d、利用选择性各向异性刻蚀工艺对所述第二绝缘介质层进行刻蚀，从而沿着所述第一窗口和第二窗口两侧形成侧墙结构；e、进行第一次离子注入，选择注入倾斜角度使所述第一窗口中所述半导体衬底有离子到达而所述第二窗口中所述半导体衬底没有离子到达，进行退火使注入的离子激活，在所述第一窗口处的所述半导体衬底中形成PN结；f、进行第二次离子注入，选择注入倾斜角度使所述第二窗口区域内所述半导体衬底部分有离子到达，进行退火使注入的离子激活，在所述第二窗口区域内的所述半导体衬底形成PN结，在所述第一窗口区域内所述半导体衬底中形成高浓度掺杂区域且该区域包含在第一次离子注入形成的区域内；g、淀积一金属层，退火后所述金属层和所述第一及第二窗口区域内暴露出来的所述半导体衬底反应形成金属半导体化合物导体层，除去未与上述半导体衬底反应的所述金属层。