[发明专利]垂直沟道双栅隧穿晶体管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201010162453.6 申请日: 2010-04-28
公开(公告)号: CN101819975A 公开(公告)日: 2010-09-01
发明(设计)人: 臧松干;王鹏飞;张卫 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: H01L27/092 分类号: H01L27/092;H01L29/78;H01L21/8238;H01L21/336
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 31200 代理人: 陆飞;盛志范
地址: 20043*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明属于半导体器件技术领域,具体本发明公开了一种半导体器件,它包括一个N型隧穿晶体管和一个P型MOS晶体管。对于N型隧穿晶体管,采用垂直沟道双栅结构;对于P型MOS晶体管,采用凹陷沟道结构。本发明还公开了上述半导体器件的制造方法。本发明制造的半导体器件具有低漏电流、高驱动电流等优点,采用本发明的集成电路大大降低了芯片功耗。
搜索关键词: 垂直 沟道 双栅隧穿 晶体管 及其 制备 方法
【主权项】:
一种半导体器件,其特征在于,该半导体器件包括一个半导体衬底、在所述半导体衬底上形成的一个N型隧穿晶体管和一个P型MOS晶体管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学,未经复旦大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010162453.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top