[发明专利]一种电化学沉积铜锌锡硒半导体薄膜材料的方法有效
| 申请号： | 201010163405.9 | 申请日： | 2010-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN101824638A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 刘萍 | 申请（专利权）人： | 深圳丹邦投资集团有限公司 |
| 主分类号： | C25D7/12 | 分类号： | C25D7/12 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 518057 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电化学沉积铜锌锡硒半导体薄膜材料的方法：先在基底上阴极恒电位电沉积含Cu、Zn、Sn、Se的预制层，再对预制层进行热处理，最终生成铜锌锡硒半导体薄膜。本发明方法克服了传统PVD法或CVD法成本高昂、难于大规模生产等不足，具有镀层化学成分可控、形貌优良、成本低廉，以及易于实现大面积沉积和大规模应用等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电化学 沉积 铜锌锡硒 半导体 薄膜 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种电化学沉积铜锌锡硒半导体薄膜材料的方法，其特征在于：先在含有铜、锌、锡和硒离子的电沉积溶液中，采用阴极恒电位沉积的方法在基底上沉积含铜、铟、镓和硒的预制层CuZnaSnbSec，a＝0～1，b＝0～1，c＝0～4；其中，电沉积溶液温度为20～80℃，沉积时间为5～300分钟，阴极沉积电位为-3.0～-0.1Vvs.SCE；然后将预制层置于真空、空气、氩气或氮气中，在250～750℃温度下热处理0.1～4.5小时，最终生成铜锌锡硒薄膜。
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