[发明专利]粘接膜及晶片加工用带无效
申请号: | 201010163964.X | 申请日: | 2010-04-16 |
公开(公告)号: | CN101864249A | 公开(公告)日: | 2010-10-20 |
发明(设计)人: | 石黑邦彦;石渡伸一;盛岛泰正 | 申请(专利权)人: | 古河电气工业株式会社 |
主分类号: | C09J7/00 | 分类号: | C09J7/00;C09J7/02;H01L21/68;H01L21/78 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李贵亮 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种粘接膜及晶片加工用带,所述粘接膜可以将用于粘接剂层的树脂通用化为丙烯酸树脂等,可以确保晶片的贴合性,并且减少切割时的芯片破裂或芯片缺损等屑片。晶片加工用带10具有由基材膜12a和形成于其上的粘合剂层12b构成的粘合膜12、和层压在粘合膜12上的粘接剂层13。将粘接剂层13的密度设定为ρ(g/cm3)、粘接剂层13的固化前的最小储存弹性模量设定为Gmin(MPa)时,ρ×Gmin为0.2以上。通过组合Gmin和ρ这2个要素并使其相互补充,可以确保粘接剂层13对半导体晶片的贴合性,并且减少切割时的屑片。 | ||
搜索关键词: | 粘接膜 晶片 工用 | ||
【主权项】:
一种粘接膜,其具有与半导体晶片贴合的粘接剂层,其特征在于,将所述粘接剂层的密度设定为ρ、所述粘接剂层的固化前的最小储存弹性模量设定为Gmin时,ρ×Gmin为0.2以上,其中,ρ的单位是g/cm3,Gmin的单位是MPa,使所述粘接剂层在60℃与所述半导体晶片贴合时的所述粘接剂层的剥离力为50mN/cm以上。
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