[发明专利]一种具有场截止构造的非穿通型深沟槽IGBT及其制造方法无效
| 申请号： | 201010164106.7 | 申请日： | 2010-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN101826552A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 饶祖刚;丛培金;沈浩平;冯春阳;陆界江;赵雁 | 申请（专利权）人： | 天津环鑫科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/331 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 王凤英 |
| 地址： | 300384 天津市华苑产业区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有场截止构造的非穿通型深沟槽IGBT及其制造方法。该IGBT等效为一个NMOS场效应管驱动一个PNP双极晶体管，或者一个PMOS场效应管驱动一个NPN双极晶体管。该发明中的NMOS管或者PMOS管通过深沟槽工艺实现了垂直栅和垂直沟道，并采用高耐压沟槽栅工艺技术；NMOS管或者PMOS管、PNP管或者NPN管直接做在抛光硅片上，形成非穿通型的IGBT结构；PNP管或者NPN管的基区靠近集电区的部位通过离子注入或者扩散形成一个与基区具有相同掺杂类型，比基区有更高掺杂浓度的场截止层。该发明所确立的制造方法成本低，易于实施；制造出的IGBT面积小，开关损耗小，短路耐量高，具有抗电磁干扰和抗辐射的能力加强等性能特点。从而满足市场对IGBT产品高品质的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 截止 构造 非穿通型 深沟 igbt 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有场截止构造的非穿通型深沟槽IGBT，包括一个NMOS场效应管和由该NMOS场效应管驱动的一个PNP双极晶体管；或者包括一个PMOS场效应管和由该PMOS场效应管驱动的一个NPN双极晶体管，NMOS场效应管或者PMOS场效应管包括发射电极、栅电极和硅基片体区，PNP双极晶体管或者NPN晶体管包括发射电极、硅基片体区和集电极，其特征是：在硅基片体区(12)的一侧，形成具有高耐压深沟槽栅(2)结构的元胞区(1)，元胞区(1)的表层由分离的金属分别引出栅电极(3)和发射电极(4)，在元胞区(1)的外围形成具有场限环(5)及场板结构的耐压环区(8)；而在硅基片体区(12)的另一侧，形成与单晶硅基片同类型掺杂的场截止层(9)和相反类型掺杂的集电区(10)，并由金属引出形成集电极(11)。
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