[发明专利]一种沟槽金属氧化物半导体场效应管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种沟槽MOSFET结构及其制造方法。该结构增大了体接触区与源体接触区底部及侧壁的接触面积，增强了器件的雪崩击穿特性。另外，采用较宽的金属插塞实现和源极金属的电气接触，降低了接触电阻。

主权项

一种沟槽金属氧化物半导体场效应管，其特征在于包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层，该外延层位于衬底之上，且该外延层的多数载流子浓度低于衬底；第二导电类型的体区，位于所述外延层的上部分，且所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；第一导电类型的源区，位于有源区，且位于所述体区的上部分，该源区的多数载流子浓度高于所述外延层；位于所述外延层中的多个沟槽，该沟槽的侧壁靠近所述源区和所述体区；第一绝缘层，该绝缘层衬于所述沟槽的内表面作为栅介电层；第一导电类型的栅极导电区域，该栅极导电区域位于所述沟槽中，且靠近所述第一绝缘层；第二绝缘层，该第二绝缘层覆盖所述外延层和所述栅极导电区域的上表面；多个源体接触沟槽，穿过所述第二绝缘层和所述源区，延伸入所述体区。该源体接触沟槽的侧壁位于所述第二绝缘层和所述源区的部分与所述外延层上表面之间的夹角θ1和θ2为90+/‑5度，位于所述体区的部分与外延层上表面之间的夹角θ3和θ4小于90度；第二导电类型的体接触区，位于所述体区，包围所述源体接触沟槽位于所述体区中的侧壁和底面，且所述体接触区的多数载流子浓度高于所述体区；金属插塞，位于每个所述源体接触沟槽中；源金属，位于所述第二绝缘层的上表面；漏金属，位于所述衬底的下表面。