[发明专利]对集成电路建模的方法和系统有效

专利信息
申请号: 201010164362.6 申请日: 2010-04-09
公开(公告)号: CN101866380A 公开(公告)日: 2010-10-20
发明(设计)人: 埃姆拉·阿卡;卡纳克·B·阿加沃尔;戴米尔·A·詹姆塞克;萨尼·R·纳西夫 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 黄小临
地址: 美国纽*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 提供了对集成电路建模的方法、数据处理系统和对集成电路建模的系统。根据一个实施例,接收包括具有多个端子的制造晶体管在内的制造集成电路的多个经验测量。所述多个经验测量每个包括针对制造晶体管的端子的经验端子电流集和经验端子电压集。还接收被仿真晶体管的数学仿真模型。利用所述数学仿真模型,通过对于多个不同的端子电压集的每个确定仿真端子电流集和仿真端子电荷集来计算中间数据集。建模工具处理所述中间数据集以获得制造晶体管的时域仿真模型,该时域仿真模型对于所述多个经验测量的每个提供仿真端子电荷集。将所述时域仿真模型存储在计算机可读数据存储介质中。
搜索关键词: 集成电路 建模 方法 系统
【主权项】:
一种利用数据处理系统对集成电路建模的方法,所述方法包括:接收来自包括具有多个端子的制造晶体管的制造集成电路的多个经验测量,所述多个经验测量每个包括针对制造晶体管的端子的经验端子电流集和经验端子电压集;接收被仿真晶体管的数学仿真模型;利用所述数学仿真模型,通过对于多个不同的端子电压集的每个确定仿真端子电流集和仿真端子电荷集来计算中间数据集;建模工具处理所述中间数据集以获得制造晶体管的时域仿真模型,该时域仿真模型对于所述多个经验测量的每个提供仿真端子电荷集;以及将所述时域仿真模型存储在计算机可读数据存储介质中。
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