[发明专利]铝镍钴磁体的制备方法有效
| 申请号： | 201010164809.X | 申请日： | 2010-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN101824652A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 宋振纶;张阳明;孙可卿;汪元亮;胡方勤 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | C30B29/52 | 分类号： | C30B29/52;C30B13/00;H01F41/02 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铝镍钴磁体的制备方法，采用区域熔炼法，包括步骤：将棒状铝镍钴合金在惰性气体保护下进行区熔定向凝固，熔区长度5毫米～15毫米，凝固温度梯度为50K/cm～500K/cm，晶体的生长速度为1mm/min-20mm/min，区熔定向凝固的次数为1次～3次，制得铝镍钴磁体。该方法制备的铝镍钴磁体取向度和磁性能均有显著的提高，采用区域熔炼法制备铝镍钴磁体，成分烧损少，操作简单，条件易于控制，无需特殊设备，适于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 铝镍钴 磁体 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铝镍钴磁体的制备方法，其特征在于，采用区域熔炼法，包括步骤：将棒状铝镍钴合金在惰性气体保护下进行区熔定向凝固，熔区长度5毫米～15毫米，凝固温度梯度为50K/cm～500K/cm，晶体的生长速度为1mm/min～20mm/min，区熔定向凝固的次数为1次～3次，制得铝镍钴磁体。
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