[发明专利]一种双极型晶体管电流放大系数测量方法有效
| 申请号： | 201010164895.4 | 申请日： | 2010-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101825681A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 韦敏侠 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R1/067 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种双极型晶体管电流放大系数测量方法，在探针卡上的探针中选取用于测试的测试探针；将所述测试探针与测试机连接，通过导线将所述探针卡上每个相同测试探针所对应的探针连接点和测试机连接点连接，所述导线直线连接所述探针连接点和所述测试机连接点，无交错缠绕；将所述测试探针接触所述双极型晶体管的发射极和集电极；通过所述测试机和探针卡向所述双极型晶体管的发射极E和集电极C施加电压，所述测试机实时测得在施加于发射极E的各个电压值下的发射极电流IE、集电极电流IC和基极电流IB，通过得到的集电极电流IC和基极电流IB得到电流放大系数β。本发明方法可准确测量到电流放大系数较大的双极型晶体管的电流放大系数值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双极型 晶体管 电流 放大 系数 测量方法 | ||
【主权项】：
一种双极型晶体管电流放大系数测量方法，包括以下步骤：在探针卡上的探针中选取用于测试的测试探针；将所述测试探针与测试机连接，通过导线将所述探针卡上每个相同测试探针所对应的探针连接点和测试机连接点连接，所述导线直线连接所述探针连接点和所述测试机连接点，无交错缠绕；将所述测试探针接触所述双极型晶体管的发射极和集电极；通过所述测试机向所述探针卡上的所述测试探针施加电压，所述测试探针进而向所述双极型晶体管的发射极E和集电极C分别施加电流和电压，施加于集电极C的电压为固定值，而施加于发射极E的电流则随时间逐渐增加，与此同时所述测试机实时测得在施加于发射极E的各个电流值下的集电极电流IC和基极电流IB，通过得到的集电极电流IC和基极电流IB得到电流放大系数β。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010164895.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
