[发明专利]SCR静电保护器件无效
| 申请号： | 201010164926.6 | 申请日： | 2010-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101819962A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 胡剑 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种SCR静电保护器件，包括：P阱和N阱，位于衬底内，所述P阱和所述N阱相连；第一P型注入区和第一N型注入区，位于所述P阱内，所述第一P型注入区和所述第一N型注入区之间用浅沟槽隔离；第二P型注入区和第二N型注入区，位于所述N阱内，所述第二P型注入区和所述第二N型注入区之间用浅沟槽隔离；第一电阻，其一端连接于所述第一P型注入区；第二电阻，其一端连接于所述第二N型注入区。本发明提供的SCR静电保护器件可以有效的降低器件的触发电压，而不影响其保护能力，使得SCR器件更早更容易触发，因而能够得到更好的静电保护效果。 | ||
| 搜索关键词： | scr 静电 保护 器件 | ||
【主权项】：
一种SCR静电保护器件，包括：P阱和N阱，位于衬底内，所述P阱和所述N阱相连；第一P型注入区和第一N型注入区，位于所述P阱内，所述第一P型注入区和所述第一N型注入区之间用浅沟槽隔离；第二P型注入区和第二N型注入区，位于所述N阱内，所述第二P型注入区和所述第二N型注入区之间用浅沟槽隔离；其特征在于所述保护器件还包括：第一电阻，其一端连接于所述第一P型注入区；第二电阻，其一端连接于所述第二N型注入区。
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