[发明专利]基于石墨烯的透明导电电极及其制法与应用有效
| 申请号： | 201010165599.6 | 申请日： | 2010-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN101859858A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 刘立伟;邢振远;牛亮;宋仁升;荣吉赞;赵勇杰;耿秀梅;李伟伟;程国胜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 陈忠辉 |
| 地址： | 215125 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种利用石墨烯薄膜作为GaN基LED、紫外光探测器的透明导电电极及其制法与应用，该石墨烯薄膜固化结合于LED、紫外光探测器GaN基片表面。采用化学气相沉积或还原氧化法制备石墨烯透明导电薄膜，并利用微加工光刻、刻蚀和金属沉积的方法制作GaN基LED、紫外光探测器；迁移石墨烯薄膜到LED或紫外光探测器的p型GaN基片上，代替ITO或Ni/Au作为透明导电电极。本发明采用石墨烯薄膜作为透明导电电极，能够实现低成本、高亮度的发光器件，扩大了碳纳米材料在GaN基光电器件领域的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 石墨 透明 导电 电极 及其 制法 应用 | ||
【主权项】：
基于石墨烯的透明导电电极，其特征在于：所述透明导电电极为石墨烯薄膜，该石墨烯薄膜固化结合于LED或紫外光探测器的GaN基片表面。
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