[发明专利]具有边缘增强效应的前栅型场发射阴极结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201010165816.1 | 申请日： | 2010-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN101819913A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 郭太良;叶芸;张永爱;胡利勤;苏艺菁;林贺 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | H01J29/04 | 分类号： | H01J29/04;H01J9/02 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有边缘增强效应的前栅型场发射阴极结构及其制造方法，其将在阴极基板上设有条状的阴极电极，在阴极电极边缘设有场发射体，在有场发射体的阴极电极上设有条状绝缘介质层，在绝缘介质层上设有条状的栅极电极，这样将发射体转移至场发射阴极电极的边缘，充分利用边缘增强效应，增强栅极调控作用，降低场发射阴极开启电场，提高前栅型场发射显示器件的阴极场发射性能，简化工艺程序，降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 边缘 增强 效应 前栅型场 发射 阴极 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有边缘增强效应的前栅型场发射阴极结构，包括阴极基板,其特征在于：所述阴极基板上设有复数个相互平行间隔的条状的阴极电极，所述阴极电极的上表面两侧边缘设有场发射体，所述场发射体中间的阴极电极表面上设有条状绝缘介质层，所述条状绝缘介质层上设有条状栅极电极。
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