[发明专利]发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201010165942.7 | 申请日： | 2010-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN102237473A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 洪梓健;沈佳辉 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管，包括一发光二极管芯片，该发光二极管芯片包括第一半导体层、第一电极、活性层、第二半导体层及第二电极，该活性层设于该第一半导体层上，该第二半导体层形成于该活性层上，该第二电极设于该第二半导体层上，由该第一半导体层、活性层、第二半导体层及第二电极构成一叠层，其中该叠层的中部设有盲孔，该盲孔依次贯穿第二电极、第二半导体层及活性层，并延伸至该第一半导体层内，该第一电极设于第一半导体层上并对应设于该盲孔内，该第一电极上设有一第一支撑层，该第二电极上设有一第二支撑层，该第二支撑层与第一支撑层相间隔。本发明还涉及一种制造该发光二极管的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包括一发光二极管芯片，该发光二极管芯片包括第一半导体层、第一电极、活性层、第二半导体层及第二电极，该活性层设于该第一半导体层上，该第二半导体层形成于该活性层上，该第二电极设于该第二半导体层上，由该第一半导体层、活性层、第二半导体层及第二电极构成一叠层，其特征在于：该叠层的中部设有盲孔，该盲孔依次贯穿第二电极、第二半导体层及活性层，并延伸至该第一半导体层内，该第一电极设于第一半导体层上并对应设于该盲孔内，该第一电极上设有一第一支撑层，该第二电极上设有一第二支撑层，该第二支撑层与第一支撑层相间隔。
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