[发明专利]半导体器件和半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201010166124.9 | 申请日： | 2010-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN101901798A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 富士原明 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件和半导体器件的制造方法。本发明的一个方面是半导体器件，其包括：半导体基板；第一布线，该第一布线被形成在半导体基板上；第二布线，该第二布线被形成为在第一布线的上方交叉并且在其中第一布线和第二布线相互交叉的交叉部分处在其间插入间隔；保护膜，该保护膜被形成在半导体基板上以覆盖第一布线的至少一部分，该部分位于交叉部分中第二布线的下方；以及绝缘膜，该绝缘膜以岛状被形成在交叉部分中第二布线的下方的保护膜上以位于保护膜的边缘之间并且覆盖交叉部分中的第一布线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体基板；第一布线，所述第一布线被形成在所述半导体基板上；第二布线，所述第二布线被形成为与所述第一布线交叉并且在所述第一布线和所述第二布线相互交叉的交叉部分处在其间插有间隔；保护膜，所述保护膜被形成在所述半导体基板上以覆盖所述第一布线的至少一部分，所述部分位于所述交叉部分中的所述第二布线的下方；以及绝缘膜，所述绝缘膜以岛状被形成在所述交叉部分中的第二布线的下方的保护膜上，以位于所述保护膜的边缘之间并且覆盖所述交叉部分中的第一布线。
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