[发明专利]发光元件及使用该元件的发光装置有效
申请号: | 201010166139.5 | 申请日: | 2005-05-16 |
公开(公告)号: | CN101847653A | 公开(公告)日: | 2010-09-29 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;濑尾哲史 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77;H01L51/56 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 陈季壮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的是提供在宽波长范围内具有光谱的高效白光发射元件。另一个目的是提供白光发射元件,其中白色亮度难以随时间改变,还有一个目的是提供白光发射元件,其中发射光谱的形状不会取决于电流密度。第一发光元件310和第二发光元件320串联层压在基板300上。第一发光元件310在第一阳极311和第一阴极313之间具有发光层312,第二发光元件320在第二阳极321和第二阴极323之间具有发光层322。这里,发光层312显示在蓝到蓝绿波长范围内和在黄到橙波长范围内都具有波峰的第一发射光谱330,发光层322显示在蓝绿到绿波长范围内和在橙到红波长范围内都具有波峰的第二发射光谱340。 | ||
搜索关键词: | 发光 元件 使用 装置 | ||
【主权项】:
发光装置,它包括:在基板上的薄膜晶体管,该薄膜晶体管包括:在基板上的半导体膜;与半导体膜相邻的绝缘膜;和与半导体膜相邻的栅电极,其中所述绝缘膜设置在栅电极和半导体膜之间;第一发光元件,该第一发光元件具有在第一阳极和第一阴极之间包括发光有机化合物的第一发光层;第二发光元件,该第二发光元件具有在第二阳极和第二阴极之间包括发光有机化合物的第二发光层;和滤色镜,其中,第一发光元件和第二发光元件与第一阴极串联连接,并且与所述薄膜晶体管电连接,该第一阴极与第二阳极接触,其中,第一发光元件显示具有至少两个波峰的第一发射光谱,第二发光元件显示在不同于这两个波峰的位置具有波峰的第二发射光谱,其中,白发射色由第一发射光谱和第二发射光谱显示,以及其中,设置所述滤色镜来改变该白发射色的色度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的