[发明专利]集成电路3D存储器阵列及其制造方法有效
| 申请号： | 201010166150.1 | 申请日： | 2010-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN101872788A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 龙翔澜;吕函庭 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/10;H01L27/115;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种集成电路3D存储器阵列及其制造方法。该3D存储器元件是基于电极柱阵列及多个电极平面，所述多个电极平面在界面区与所述电极柱相交，所述界面区包含存储器构件，所述存储器构件包括可编程构件及整流器。可使用二维译码来选择所述电极柱，且可使用第三维上的译码来选择所述多个电极平面。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 存储器 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种存储器元件，其特征在于，包括：集成电路基板，包含存取元件阵列；多个导电层，通过绝缘层而彼此分离且与所述存取元件阵列分离；电极柱阵列，其延伸穿过所述多个导电层，该电极柱阵列中的电极柱接触所述存取元件阵列中的对应存取元件，且界定该电极柱与所述多个导电层中的导电层之间的界面区；以及存储器构件在于所述界面区，所述存储器构件中的每一者包括可编程构件及整流器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010166150.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：二轮摩托车自动防侧翻安全装置
- 下一篇：童车上的座兜
- 同类专利
- 专利分类
