[发明专利]半导体集成电路器件

摘要

本发明提供一种设有SRAM的半导体集成电路器件，它以低供给电压满足SNM和写余量的需求。该半导体集成电路器件包括：对应多个字线和多个互补位线设置的多个静态存储单元；多个存储单元电源线，每个存储单元电源线向连接到多个互补位线的每个的多个存储单元的每个供给工作电压；由电阻单元构成的多个电源电路，每个电源电路向每个存储单元电源线供给电源电压；和向互补位线供给对应电源电压的预充电电压的预充电电路，其中存储单元电源线构成为具有耦合电容，由此在相应互补位线上传输写信号。

主权项

一种半导体集成电路器件，包括：多个存储单元，每一存储单元包括：第一CMOS反相器，其具有第一P沟道MOS晶体管和第三N沟道MOS晶体管；第二CMOS反相器，其具有第二P沟道MOS晶体管和第四N沟道MOS晶体管；第一N沟道MOS晶体管，其连接到所述第一CMOS反相器的输出节点；以及第二N沟道MOS晶体管，其连接到所述第二CMOS反相器的输出节点；其中所述存储单元沿第一方向和与所述第一方向垂直的第二方向以矩阵布置；多个字线，每一字线连接到与所述第一方向的存储单元对应的第一和第二N沟道MOS晶体管；多个第一位线，每一第一位线连接到与第二方向的存储单元对应的第一N沟道MOS晶体管；多个第二位线，每一第二位线连接到与第二方向的存储单元对应的第二N沟道MOS晶体管；多个电源线，用于提供电源电压；多个电源晶体管，其耦合到所述电源线，并且每一电源晶体管与第二方向的存储单元对应地布置；多个存储单元电源线，其耦合到相应的电源晶体管，并且每个存储单元电源线沿所述第一和第二位线布置；以及写驱动器，用于向所述存储单元写数据，其中每一存储单元具有第一部分、第二部分和第三部分，并且这些部分沿第一方向以第一部分、第二部分和第三部分的顺序布置，其中所述第一部分包括所述第一N沟道MOS晶体管和所述第三N沟道MOS晶体管，其中所述第二部分包括所述第一P沟道MOS晶体管和所述第二P沟道MOS晶体管，以及其中，所述第三部分包括所述第二N沟道MOS晶体管和所述第四N沟道MOS晶体管。