[发明专利]一种多晶薄膜太阳电池的制备方法无效
| 申请号： | 201010166939.7 | 申请日： | 2010-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN102237436A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 黄庆举 | 申请（专利权）人： | 茂名学院 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 525000 *** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是一种多晶薄膜太阳电池的制备方法，不同的衬底材料上生长的膜的形貌会有较大的差异，而衬底材料中所含的某些微量元素也会影响膜的质量。玻璃衬底内应含低的杂质浓度，应具有相对较好的导热性，且热膨胀系数稍大于CSI膜，这是因为在冷却成膜时，受到收缩应力的影响自然会使薄膜更紧密。比较理想的衬底材料是Soda lime玻璃，其厚度要小于4mm为佳。制成的多晶薄膜太阳电池的效率为24.2％，填补国内外空白。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 薄膜 太阳电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶薄膜太阳电池的制备方法，不同的衬底材料上生长的膜的形貌会有较大的差异，而衬底材料中所含的某些微量元素也会影响膜的质量。玻璃衬底内应含低的杂质浓度，应具有相对较好的导热性，且热膨胀系数稍大于CIS膜，这是因为在冷却成膜时，受到收缩应力的影响自然会使薄膜更紧密。比较理想的衬底材料是Soda lime玻璃，其厚度要小于4mm为佳。制成的多晶膜太阳电池的效率为24.2％，填补国内外空白。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于茂名学院，未经茂名学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010166939.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种触摸屏应用于主机遥控的系统
- 下一篇：一种摩托车用瓦楞纸包装箱
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
