[发明专利]金属栅极结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201010167177.2 | 申请日： | 2010-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN102237270A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 杨玉如;李宗颖;林进富;许启茂 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种金属栅极结构及其制造方法，此方法是先在半导体基底上形成具有高介电常数的栅介电层，接着在栅介电层上方形成第一含金属层，其中此第一含金属层具有远离栅介电层的表面。然后，对第一含金属层的上述表面进行表面处理，以提高此表面的含氮量。之后，在第一含金属层的上述表面上形成硅层。由于硅层是形成在含氮量高的表面上，因此可避免第一含金属层内的金属材料催化硅层的沉积，进而提升工艺良率。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 栅极 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种金属栅极结构的制造方法，包括：于半导体基底上形成栅介电层，其中该栅介电层具有高介电常数；于该栅介电层上方形成第一含金属层，其中该第一含金属层具有远离该栅介电层的表面；对该第一含金属层的该表面进行表面处理，以提高该表面的含氮量；于该第一含金属层的该表面上形成硅层；以及图案化该栅介电层、该第一含金属层以及该硅层，以形成堆叠结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
