[发明专利]单晶金刚石层生长用基板以及单晶金刚石基板的制造方法无效
| 申请号： | 201010167218.8 | 申请日： | 2010-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN101892521A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 野口仁 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C30B25/02;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 雒纯丹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单晶金刚石层生长用基板以及单晶金刚石基板的制造方法。本发明的目的在于提供一种能够以良好的再现性和低成本制造均匀并且结晶性高的单晶金刚石的单晶金刚石层生长用基板以及单晶金刚石基板的制造方法。该单晶金刚石层生长用基板是用于生长单晶金刚石层的基板，其由材质为单晶金刚石的基材，以及在基材的单晶金刚石层生长侧上异质外延生长成的铱膜或铑膜形成，并且基材的单晶金刚石层生长侧的表面的周端部形成曲率半径(r)≥50μm的倒角形。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 生长 用基板 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种单晶金刚石层生长用基板，用于使单晶金刚石层生长，其特征在于，该单晶金刚石层生长用基板至少由材质为单晶金刚石的基材以及在该基材的前述单晶金刚石层生长侧异质外延生长的铱膜或铑膜形成，并且前述基材的前述单晶金刚石层生长侧的表面的周端部形成曲率半径(r)≥50μm的倒角形。
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