[发明专利]发射电磁辐射的光电子器件和用于制造光电子器件的方法有效
| 申请号： | 201010167326.5 | 申请日： | 2006-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN101834264A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 赫贝特·布伦纳;基尔斯廷·彼得森 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/56;H01L33/58 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王萍;周涛 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 给出了一种光电子器件，其中该光电子器件具有壳和设置在壳中的发光二极管芯片(1)，该发光二极管芯片发射有效辐射。壳具有对有效辐射可穿透的壳材料(5)，该壳材料有目的的掺有吸收辐射的材料，用于调节所发射的有效辐射的预先给定的辐射强度或者光强。通过吸收辐射的颗粒(6)有目的地使辐射强度或者光强降低限定的值，以便调节器件的预先给定的辐射强度或者光强。此外还给出了一种用于制造这种光电子器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 电磁辐射 光电子 器件 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光电子器件，其发射有效辐射，所述光电子器件具有壳和设置在壳中的发光二极管芯片，其特征在于，壳具有对有效辐射可穿透的壳材料，所述壳材料有目的地掺有吸收辐射的颗粒，用于调节所发射的有效辐射的预先给定的辐射强度或者光强，其中吸收辐射的颗粒具有碳黑并且该碳黑是具有致密的聚集体结构的工业碳黑(LSCB，“低结构碳黑”)。
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