[发明专利]用于操作闪存器件的方法有效
| 申请号： | 201010167358.5 | 申请日： | 2006-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN101807432A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 黄相元 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 非易失性存储器阵列其中包括第一和第二块三态存储单元。这些第一和第二块被配置来分别作为第一和第二块物理存储单元独立运行，并且整体作为另一块虚拟存储单元运行。可以独立地读取第一和第二块存储单元和另一块虚拟存储单元来提供总共三块读取数据。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 操作 闪存 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种操作闪存器件的方法，包括步骤：通过从NAND型EEPROM阵列读取第一和第二数据页、然后使用其中编码三个数据页的修改数据重写第一和第二数据页，来用第三数据页编程NAND型EEPROM阵列。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010167358.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：编码方法和编码装置
- 下一篇：工件切断装置和工件切断方法
