[发明专利]氧化锌叠层电极氮化镓基大功率发光二极管及其制备方法无效
申请号: | 201010167517.1 | 申请日: | 2010-05-06 |
公开(公告)号: | CN101834253A | 公开(公告)日: | 2010-09-15 |
发明(设计)人: | 杨连乔;张建华 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | H01L33/36 | 分类号: | H01L33/36;H01L33/40 |
代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 何文欣 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及了一种氧化锌叠层电极氮化镓基大功率发光二极管及其制备方法。本大功率发光二极管的芯片是蓝宝石sapphire衬底上依次沉积有n型氮化镓n-GaN,多量子阱活性发光区MQW,p型氮化镓p-GaN,氧化锌ZnO基透明薄膜层,金属薄膜层和氧化锌ZnO基透明薄膜层,在氧化锌ZnO基透明薄膜层上有正极金属焊点,在n型氮化镓n-GaN层上有负极金属焊点。本发明采用高导电性稳定金属薄膜层的插入,提高叠层氧化锌ZnO透明电极的有效载流子浓度,从而实现更佳的p型氮化镓p-GaN区域的电流扩散与良好的欧姆接触,有效避免了局部热与热应力的集中,从而提高大功率发光二极管的出光散热性能与器件的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 氧化锌 电极 氮化 大功率 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种氧化锌叠层电极氮化镓基大功率发光二极管,其特征在于:芯片是蓝宝石sapphire衬底(7),其上依次沉积有n型氮化镓n-GaN层(6)、多量子阱活性发光区MQW(5)、p型氮化镓p-GaN层(4)、氧化锌ZnO基透明薄膜层(3)、金属薄膜层(2)和氧化锌ZnO基透明薄膜层(1)构成,在氧化锌ZnO基透明薄膜层(1)上有正极(8)金属焊点,在n型氮化镓n-GaN层(6)上有负极(9)金属焊点。
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