[发明专利]形成介电膜的方法有效
| 申请号： | 201010167894.5 | 申请日： | 2008-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101944482A | 公开（公告）日： | 2011-01-12 |
| 发明（设计）人： | 北野尚武;福地祐介;铃木伸昌;北川英夫 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社;佳能安内华股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;C23C14/14 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 杨国权 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了形成介电膜的方法。在硅衬底上形成至少包含金属原子、硅原子和氧原子的介电膜的方法包括：第一步，使硅衬底的表面部分氧化以形成二氧化硅膜；第二步，在非氧化气氛中在二氧化硅膜上形成金属膜；第三步，在非氧化气氛中加热以使构成金属膜的金属原子扩散到二氧化硅膜中；和第四步，使包含扩散的金属原子的二氧化硅膜氧化以形成包含金属原子、硅原子和氧原子的膜。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 介电膜 方法 | ||
【主权项】：
一种在硅衬底上形成至少包含金属原子、硅原子和氧原子的介电膜的方法，该方法包括：第一步，使硅衬底的表面氧化以形成硅氧化物膜；第二步，在非氧化气氛中在硅氧化物膜上形成金属膜；第三步，将金属膜曝露在包含氧化气体和稀有气体的等离子体以使金属膜氧化并使构成金属膜的金属原子扩散到硅氧化物膜中。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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