[发明专利]晶片加工用带

摘要

本发明提供一种可以抑制在拾取工序中邻接芯片一同拾起的双芯片错误的产生的晶片加工用带。所述晶片加工用带10具有由基材膜12a和粘合剂层12b构成的粘合膜12、和粘接剂层13。将粘接剂层13的厚度设为t(ad)[μm]、80℃下的储存弹性模量设为G’(80ad)、tanδ设为tanδ(80ad)、粘合膜(12)的厚度设为t(film)、80℃下的tanδ设为tanδ(80film)时，用式(1)表示的值A为0.043以上。…式(1)，粘接剂层13受到切割刀21压入的力时，粘接剂层13不易变形，粘接剂层13从半导体芯片2的溢出减少。由此，粘接剂层13不进行再熔接。

主权项

一种晶片加工用带，其特征在于，具有由基材膜和设置在该基材膜上的粘合剂层构成的粘合膜及设置在所述粘合剂层上的粘接剂层，将所述粘接剂层的厚度设为t(ad)、所述粘接剂层在80℃的储存弹性模量设为G’(80ad)、所述粘接剂层在80℃的tanδ设为tanδ(80ad)、所述粘合膜的厚度设为t(film)、所述粘合膜在80℃的tanδ设为tanδ(80film)时，用式(1)表示的值A为0.043以上，其中，t的单位为μm，G’的单位为MPa，式(1) A = tan δ ( 80 ad ) G , ( 80 ad ) × { tan δ ( 80 ad ) × t ( ad ) + tan δ ( 80 film ) × t ( film ) } ···式(1)。