[发明专利]基底处理设备有效
| 申请号： | 201010168158.1 | 申请日： | 2006-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN101877305A | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | 高桥圭瑞;白樫充彦;伊藤贤也;井上和之;山口健二;関正也 | 申请（专利权）人： | 株式会社荏原制作所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘兴鹏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种基底抛光方法，包括：在抛光单元中抛光基底边缘部分；以及在所述抛光前和/或所述抛光后，在测量单元中测量基底边缘部分，其中，测量单元的传感器机构逐步地以微小的距离向基底的中心移动，以测量基底边缘部分上多点的厚度(An)和从参考点(XO)到基底外圆周表面的距离(Xn)，从而获得基底边缘部分的径向厚度分布。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 处理 设备 | ||
【主权项】：
一种基底抛光方法，包括：在抛光单元中抛光基底边缘部分；以及在所述抛光前和/或所述抛光后，在测量单元中测量基底边缘部分，其中，测量单元的传感器机构逐步地以微小的距离向基底的中心移动，以测量基底边缘部分上多点的厚度(An)和从参考点(X0)到基底外圆周表面的距离(Xn)，从而获得基底边缘部分的径向厚度分布。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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