[发明专利]一种半导体晶片的裂片方法有效
申请号: | 201010168253.1 | 申请日: | 2010-05-11 |
公开(公告)号: | CN102244039A | 公开(公告)日: | 2011-11-16 |
发明(设计)人: | 汪良恩;裘立强;魏兴政 | 申请(专利权)人: | 扬州杰利半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/68 |
代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人: | 奚衡宝 |
地址: | 225008 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种半导体晶片的裂片方法。涉及半导体晶片裂片方法。在裂片后能轻松、快捷地将不良品剔除。晶片正面具有相互交叉的分裂槽,使晶片上形成若干相互连接的芯片,其中不良芯片通过检测后,标记上色点,按以下步骤将晶片分裂:1)配制粘连液;2)在膜一上均匀涂覆所述粘连液,接着将晶片正面朝下地贴合于所述膜一上;3)再往晶片背面均匀涂覆粘连液,再贴合膜二,使晶片处于两膜之间;4)利用滚压轮在膜二上,沿晶片正面的分裂槽的槽沿进行滚压,分裂槽断裂使晶片分裂为若干芯片;5)将整体翻转,使膜一朝上,揭去膜一,从仍粘附在膜二上已经分裂的若干芯片中剔除带有色点的芯片,制得。本发明简单、成本低、实用性强。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 晶片 裂片 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体晶片的裂片方法,所述晶片正面具有相互交叉的分裂槽,使晶片上形成若干相互连接的芯片,其中不良芯片通过检测后,标记上色点,其特征在于,按以下步骤将晶片分裂:1)、配制粘连液,将异丙醇和水按体积比1∶1.5 2.5均匀混合,待用;2)、在膜一上均匀涂覆所述粘连液,接着将所述晶片正面朝下地贴合于所述膜一上;3)、再往所述晶片背面均匀涂覆粘连液,再贴合膜二,使晶片处于所述两膜之间;4)、利用滚压轮在所述膜二上,沿所述晶片正面的分裂槽的槽沿进行滚压,分裂槽断裂使晶片分裂为若干芯片;5)、将整体翻转,使膜一朝上,揭去膜一,从仍粘附在膜二上已经分裂的若干芯片中剔除带有色点的芯片,制得。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州杰利半导体有限公司,未经扬州杰利半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010168253.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种太阳能电池的制作方法
- 下一篇:一种粉体防结剂氨值测定方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造