[发明专利]真空溅射镀膜设备无效
| 申请号： | 201010168800.6 | 申请日： | 2010-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN101928924A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 黄国兴 | 申请（专利权）人： | 赫得纳米科技(昆山)有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 215300 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种真空溅射镀膜设备，涉及真空溅射镀膜设备技术领域，特别是涉及对真空溅射镀膜设备中连接管的结构改造。包括真空测量装置、箱体、真空腔体，箱体内包裹有真空腔体，其特征在于：还包括连接管，所述连接管的一端通过箱体与真空腔体贯通连接，所述连接管的另一端向上弯曲与真空测量装置相连接。所述真空测量装置可以为真空计。本发明解决了现有技术真空溅射镀膜设备中，与真空测量装置连接的连接管为水平结构，靶材溅射时，中性的靶原子(或分子)容易通过连接管沉积于真空测量装置中的问题，本发明提供了一种新型连接管，在连接管上设计一个弯头结构、延长了管道，使飞溅的靶原子(或分子)不能直接沉积于真空测量装置中。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 溅射 镀膜 设备 | ||
【主权项】：
一种真空溅射镀膜设备，包括真空测量装置、箱体、真空腔体，箱体内包裹有真空腔体，其特征在于：还包括连接管，所述连接管的一端通过箱体与真空腔体贯通连接，所述连接管的另一端向上弯曲与真空测量装置相连接。
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