[发明专利]一种N型纯Si掺杂热电材料中的孔洞制备方法无效
| 申请号： | 201010169263.7 | 申请日： | 2010-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101840990A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 何琴玉;李炜;王银珍;曾葆清;王文忠;胡社军;张建中;朱诗亮 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L35/34 | 分类号： | H01L35/34 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 林丽明 |
| 地址： | 510631 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明是一种N型纯Si掺杂热电材料中的孔洞的制备方法。包括有如下步骤：1)用高能球磨机将纯Si和掺入的GaP按照比例混合，在球磨0～10小时后加入0.1％～1.5％摩尔比例的Sb以及0.5％～1.5％P；2)共球磨33小时后用直流快速热压机压制样品，升温速度为300℃/min；开始时压力为50MP，在800℃时停30S，同时加压至500MP，升温至1050℃后保温2mins，然后迅速停止加温，撤出压力，空气冷却至室温；3)将(1)(2)步骤制备出的样品在马弗炉中以100℃/小时的速度升温至950℃～1100℃，保温30mins取出样品至空气中空冷至室温，能在N型纯Si掺杂(0.5％～1.5％P和1.0％～3.0％GaP热电材料中制备孔洞体积比在0.499％～2.85％范围和孔洞尺寸分布在30nm～300nm范围的样品。本发明通过掺入一定量的元素Sb，能在N型纯Si掺杂热电材料中制备孔洞体积比在0.499％～2.85％范围和孔洞尺寸分布在30nm～300nm范围的样品。能提高该N型纯Si掺杂热电材料的热电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 si 掺杂 热电 材料 中的 孔洞 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种N型纯Si掺杂热电材料中的孔洞制备方法，其特征在于包括有如下步骤：1)用高能球磨机将Si和掺入的1.0％～3.0％GaP按照比例混合，同时在球磨0～10小时后加入0.1％～1.5％摩尔比例的Sb以及0.5％～1.5％P；2)在Si共球磨33小时～小时后用直流快速热压机压制样品，升温速度为300℃/min；开始时压力为50MP，在800℃时停30S，同时加压至500MP，升温至1050℃后保温2mins，然后迅速停止加温，撤出压力，空气冷却至室温；3)将步骤1)2)制备出的样品在马弗炉中以100℃/小时的速度升温至950℃～1100℃，保温30mins取出样品至空气中空冷至室温，即可得到有一定孔洞体积比在0.499％～2.85％范围和孔洞尺寸分布在30nm～300nm范围的样品。
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