[发明专利]一种太赫兹、红外频段激光光源无效
| 申请号： | 201010169424.2 | 申请日： | 2010-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN102237635A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 魏泽勇;李宏强;曹扬;武超;樊元成;余兴;韩缙;张冶文;陈鸿 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | H01S5/18 | 分类号： | H01S5/18;H01S5/34 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 吴林松 |
| 地址： | 200092*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种太赫兹、红外频段激光光源，其包括平面金属结构层、半导体活性层和金属底板层，金属底板层为支撑层，半导体活性层和平面金属结构层依次叠于其上，形成相干表面态，平面金属结构层由一维或者二维周期排列的金属单元组成，或者由具有同心环结构的金属栅构成。相干表面态通过平面金属结构层的金属缝隙与外界平面波相互耦合而辐射到自由空间，而平面金属结构层的金属缝隙和单元周期长度的比值和耦合系数成反比关系，从而放大半导体活性层的电磁场场强，实现量子数反转产生激射。本发明的激光光源频率段宽、光功率大，且结构简单、制作方便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 赫兹 红外 频段 激光 光源 | ||
【主权项】：
一种太赫兹、红外频段激光光源，其特征在于：其包括平面金属结构层、半导体活性层和金属底板层，金属底板层为支撑层，半导体活性层和平面金属结构层依次叠于其上，形成相干表面态，放大半导体活性层电磁场场强。
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