[发明专利]可热扩展的三维并行散热集成方法:用于大规模并行计算的片上系统关键技术无效
| 申请号： | 201010169786.1 | 申请日： | 2010-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN102243668A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 骆祖莹 | 申请（专利权）人： | 北京师范大学 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;H01L23/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100875 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于集成电路设计领域，尤其涉及可热扩展的三维并行散热集成方法。目前已提出的三维垂直集成技术无法实现热扩展，本发明提出了一种具有可热扩展的3D并行散热集成方法，如图1，即每个器件层平行于散热方向，器件层为长条形，其短边平行于散热方向，其长边垂直于散热方向，这样就保证了每个器件层均可以凭借自身所拥有的高导热性硅衬底(而不是导热过孔)、来获得独立而较短的散热通道，保证3D并行散热集成芯片最高温度与所叠加的器件层数无关。并提出了一种用于3D并行散热集成芯片最高衬底温度计算的分析模型，推导出3D芯片最高衬底温度的解析表达式，从理论上说明了本发明的热扩展性。本发明可以广泛应用于迫切需要散热性能好的3D集成方案的大规模并行计算片上系统。 | ||
| 搜索关键词： | 扩展 三维 并行 散热 集成 方法 用于 大规模 计算 系统 关键技术 | ||
【主权项】：
一种具有可热扩展的3D并行散热集成方法，其特征在于每个器件层平行于散热方向，器件层为长条形，其短边平行于散热方向，其长边垂直于散热方向，这样就保证了每个器件层均可以凭借自身所拥有的高导热性硅衬底(而不是导热过孔)、来获得独立而较短的散热通道，保证3D并行散热集成芯片最高温度与所叠加的器件层数无关。并提出了一种用于3D并行散热集成芯片最高衬底温度计算的分析模型，推导出3D芯片最高衬底温度的解析表达式，从理论上说明了本发明方法热扩展性。
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