[发明专利]一种制备ZnO纳米针阵列的方法

摘要

本发明公开了一种制备ZnO纳米针阵列的方法，包括清洗Si基片表面、置入管式炉，其特征在于：前期热蒸发以升温率20-25℃/min的速度将管式炉中的蒸发区温度上升到1340-1360℃，炉管内保持在200-300Torr的真空度，传输气体为Ar气，流量为35-40sccm，持续时间25-30分钟；再行后期热蒸发沉积，以升温率20-25℃/min的速度将管式炉中的蒸发区温度上升到1430-1460℃，炉管内保持在200-300Torr的真空度，传输气体为Ar气，流量为35-40sccm，持续时间5-8分钟，完成ZnO纳米针阵列的制备。本发明方法所得到的ZnO纳米针阵列在硅基片上分布均匀致密，直径为100nm左右，长度为3μm左右，形态均匀。本发明制作工艺过程简便，不需任何催化剂。

主权项

一种制备ZnO纳米针阵列的方法，按下列步骤进行：(a)利用化学清洗方法将Si基片表面清洗干净，并利用氢氟酸刻蚀法去除其表面的氧化层，备用；(b)将盛有高纯度＞99.95％ZnO粉末的氧化铝舟放入管式炉中心的热蒸发位置；(c)将清洗好的单晶Si基片放入管式炉中生长位置，基片表面向上；(d)前期热蒸发沉积，和后期热蒸发沉积，其特征在于：前期热蒸发以升温率20-25℃/min的速度将管式炉中的蒸发区温度上升到1340-1360℃，炉管内保持在200-300Torr的真空度，传输气体为Ar气，流量为35-40sccm，持续时间25-30分钟；(e)再行后期热蒸发沉积，后期热蒸发沉积以升温率20-25℃/min的速度将管式炉中的蒸发区温度上升到1430-1460℃，炉管内保持在200-300Torr的真空度，传输气体为Ar气，流量为35-40sccm，持续时间5-8分钟，即完成ZnO纳米针阵列的制备。