[发明专利]静电放电防护装置有效
| 申请号： | 201010170275.1 | 申请日： | 2010-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN102237400A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 周业宁;洪嘉伟;张淑铃;邱华琦;黄晔仁 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种静电放电防护装置，包括，一P型井区、一第一N型掺杂区、一第一P型掺杂区、一第二P型掺杂区以及一第二N型掺杂区。第一N型掺杂区形成在P型井区之中。第一P型掺杂区形成在第一N型掺杂区之中。第二P型掺杂区具有一第一部分以及一第二部分。第二P型掺杂区的第一部分形成于第一N型掺杂区之中。第二P型掺杂区的第二部分形成于第一N型掺杂区的外侧。第二N型掺杂区形成于第一部分之中。第一P型掺杂区、第一N型掺杂区、第二P型掺杂区以及第二N型掺杂区构成一绝缘栅双载子晶体管。通过本发明实施例的静电放电防护装置，可以降低或避免漏电流现象。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 防护 装置 | ||
【主权项】：
一种静电放电防护装置，其特征在于，所述静电放电防护装置耦接于一第一电源线与第二电源线之间，并包括：一P型井区；一第一N型掺杂区，形成在所述P型井区之中；一第一P型掺杂区，形成在所述第一N型掺杂区之中；一第二P型掺杂区，具有一第一部分以及一第二部分，所述第一部分形成于所述第一N型掺杂区之中，所述第二部分形成于所述第一N型掺杂区的外侧；以及一第二N型掺杂区，形成于所述第一部分之中，所述第一P型掺杂区、所述第一N型掺杂区、所述第二P型掺杂区以及所述第二N型掺杂区构成一绝缘栅双载子晶体管。
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