[发明专利]包括多种过渡金属掺杂的I型包合物晶体结构的热电材料

摘要

本发明涉及包括多种过渡金属掺杂的I型包合物晶体结构的热电材料。一种热电材料，其包括具有如下通式的多种过渡金属掺杂的I型包合物晶体结构：在公式中，A选自钡，锶，和铕；X选自硅，锗，和锡；M选自铝，镓，和铟；TM¹，TM²和TMⁿ各自选自3d、4d和5d过渡金属；y₁，y₂，y_n和Z分别是TM¹，TM²，TMⁿ和M的实际组成。所述实际组成基于得自下面方程的名义组成：z＝8·q_A-|Δq₁|y₁-|Δq₂|y₂-...-|Δq_n|y_n其中，q_A是A的电荷态，Δq₁，Δq₂，Δq₃分别是第一，第二和第n个TM的名义电荷态。

主权项

一种热电材料，其包含具有如下通式的多种过渡金属掺杂的I型包合物晶体结构： A 8 TM y 1 1 TM y 2 2 . . . TM y n n M z X 46 - y 1 - y 2 - . . . - y n - z 其中：A选自钡，锶，和铕；X选自硅，锗，和锡；M选自铝，镓，和铟；TM1、TM2和TMn各自选自3d，4d，和5d过渡金属；及y1，y2，yn和Z分别是TM1，TM2，TMn，和M的实际组成，其中所述实际组成基于由下面的方程得到的名义组成：z＝8·qA |Δq1|y1 |Δq2|y2 ... |Δqn|yn其中，qA是A的电荷态，Δq1，Δq2，Δq3分别是第一，第二和第n个TM的名义电荷态。