[发明专利]等离子体处理装置有效
申请号: | 201010170823.0 | 申请日: | 2010-04-28 |
公开(公告)号: | CN101877312A | 公开(公告)日: | 2010-11-03 |
发明(设计)人: | 西村荣一;米山诗麻夫 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社;株式会社明甲 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H05H1/46 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种等离子体处理装置,其易于形成等离子体电位低且更加稳定的高密度的等离子体,并且能够更加简单且准确地控制等离子体处理的均匀性。该等离子体处理装置包括:在处理室(102)内载置晶片的载置台(110);以与载置台相对的方式隔着板状电介质(104)配置的由内侧天线元件(142A)和外侧天线元件(142B)构成的平面状的高频天线(140);和以覆盖高频天线的方式设置的屏蔽部件(160),各天线部件构成为分别将其两端开放并且将中点或者中点附近接地,分别以来自不同的高频电源的高频的1/2波长谐振。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种等离子体处理装置,通过在减压的处理室内生成处理气体的感应耦合等离子体来对被处理基板实施规定的等离子体处理,该等离子体处理装置的特征在于,包括:设置在所述处理室内、用于载置所述被处理基板的载置台;向所述处理室内导入所述处理气体的气体供给部;对所述处理室内进行排气减压的排气部;以与所述载置台相对的方式隔着板状电介质配置的平面状的高频天线;和以覆盖所述高频天线的方式设置的屏蔽部件,所述高频天线包括配置在所述板状电介质上的中央部的内侧天线元件和以包围其外周的方式配置在所述板状电介质上的周边部的外侧天线元件,这些天线元件分别按照如下方式构成:两端开放且中点或者其附近接地,并且分别以来自不同的高频电源的高频的1/2波长谐振。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社;株式会社明甲,未经东京毅力科创株式会社;株式会社明甲许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010170823.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造