[发明专利]高亮度氮化镓基发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201010170914.4 | 申请日： | 2010-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN101859859A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 林素慧;彭康伟;刘传桂;林科闯;郑建森 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/46 |
| 代理公司： | 厦门原创专利事务所 35101 | 代理人： | 徐东峰 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开的高亮度氮化镓基发光二极管及其制备方法，在衬底上外延一由N型GaN层、发光层、P型GaN层构成的外延层；第一分布布拉格反射层，形成于外延层第一区域上；第二分布布拉格反射层，形成于外延层第二区域上；导电层形成于第一分布布拉格反射层上且覆盖于外延层第一区域；P电极形成于导电层上；N电极形成于第二分布布拉格反射层上且覆盖至N型GaN层上；其中第一分布布拉格反射层位于P电极正下方，且第一分布布拉格反射层图案面积大于或者等于P电极的图案面积；本发明设有分布布拉格反射层，不但可以充分地把光反射出来，防止光被电极吸收，还可使电流均匀地扩散，起到双重提高光输出效率的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 亮度 氮化 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
高亮度氮化镓基发光二极管，其特征在于：在衬底上外延一由N型GaN层、发光层、P型GaN层构成的外延层；第一分布布拉格反射层，形成于外延层第一区域上；第二分布布拉格反射层，形成于外延层第二区域上；导电层形成于第一分布布拉格反射层上且覆盖于外延层第一区域；P电极形成于导电层上；N电极形成于第二分布布拉格反射层上且覆盖至N型GaN层上；其中第一分布布拉格反射层位于P电极正下方，且第一分布布拉格反射层图案面积大于或者等于P电极的图案面积。
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