[发明专利]薄膜转换率的检测装置无效
| 申请号： | 201010171730.X | 申请日： | 2010-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN101833069A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 李健 | 申请（专利权）人： | 沈阳汉锋新能源技术有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/36 | 分类号： | G01R31/36;H01L31/18 |
| 代理公司： | 沈阳圣群专利事务所 21221 | 代理人： | 王宪忠 |
| 地址： | 110114 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种非晶硅薄膜检测装置，尤其涉及一种薄膜转换率的检测装置。薄膜转换率的检测装置，由下述结构构成：光伏板，在光伏板的一侧设有光源，光伏板的另一侧设有导电体，光伏板设有导电体一侧的表面设有测试区域，测试区域外周为无硅层，无硅层通过导线与信号发生器的正极连接，导电体的一端与测试区域接触，导电体的另一端通过导线与信号发生器的负极连接，信号发生器通过信号线将模拟量值送给信号处理装置，信号处理装置根据接收的模拟量值计算测试区域转换率。本发明的优点效果：通过本发明可以准确地分析光伏板产品的转化率是否与硅层有关系，判断在硅层沉积的过程中是否均匀，组件功率低是否与硅层有关系。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 转换率 检测 装置 | ||
【主权项】：
薄膜转换率的检测装置，其特征在于由下述结构构成：光伏板，在光伏板的一侧设有光源，光伏板的另一侧设有导电体，光伏板设有导电体一侧的表面设有测试区域，测试区域外周为无硅层，无硅层通过导线与信号发生器的正极连接，导电体的一端与测试区域接触，导电体的另一端通过导线与信号发生器的负极连接，信号发生器通过信号线将模拟量值送给信号处理装置，信号处理装置根据接收的模拟量值计算测试区域转换率。
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